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Rapid thermal annealing of electrically-active defects in virgin and implanted silicon
Adekoya W.O., Muller J.C., Siffert P.
Applied Physics A: Materials Science and Processing 42 (1987) 227-232 - http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019463
Rapid thermal annealing of electrically-active defects in virgin and implanted silicon
W.O. Adekoya1, J.C. Muller1, P. Siffert1
1 :  IReS - Institut de Recherches Subatomiques
http://ireswww.in2p3.fr/
CNRS : UMR7500 – IN2P3 – Université Louis Pasteur - Strasbourg I – Cancéropôle du Grand Est
23 rue du Loess - BP 28 - 67037 Strasbourg Cedex 2
France

Articles dans des revues avec comité de lecture
1987
Applied Physics A: Materials Science and Processing
Publisher Springer Verlag (Germany)
ISSN 0947-8396 (eISSN : 1432-0630)
42
227-232