Rapid thermal annealing of electrically-active defects in virgin and implanted silicon

W.O. Adekoya; J.C. Muller; P. Siffert

HAL : in2p3-00019463, version 1

Rapid thermal annealing of electrically-active defects in virgin and implanted silicon
Adekoya W.O., Muller J.C., Siffert P.
Applied Physics A: Materials Science and Processing 42 (1987) 227-232 - http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019463

Titre :

Rapid thermal annealing of electrically-active defects in virgin and implanted silicon

Auteur :

W.O. Adekoya¹, J.C. Muller¹, P. Siffert¹

Laboratoire :

1 :	IReS - Institut de Recherches Subatomiques

http://ireswww.in2p3.fr/

CNRS : UMR7500 – IN2P3 – Université Louis Pasteur - Strasbourg I – Cancéropôle du Grand Est

23 rue du Loess - BP 28 - 67037 Strasbourg Cedex 2

France

Type de publication :

Articles dans des revues avec comité de lecture

Date de publication
ou d'écriture :

1987

Nom du périodique :

Applied Physics A: Materials Science and Processing
Publisher	Springer Verlag (Germany)
ISSN	0947-8396 (eISSN : 1432-0630)

Volume :

Page/Article :

227-232


in2p3-00019463, version 1
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Contributeur : Yvette Heyd <>
Soumis le : Jeudi 31 Mai 2001, 08:10:44
Dernière modification le : Jeudi 31 Mai 2001, 08:10:44