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| HAL : in2p3-00019464, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Solar Cells 14 (1985) 157-166 |
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| The use of H$_2$ and NH$_3$ ion implantation in the passivation of defects in silicon ribbon grown by the ribbon-against-drop technique |
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| E. Courcelle1J.C. Muller1P. Siffert1C. Belouet1 |
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| (1985) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| Thème(s) | : | Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs |
| in2p3-00019464, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019464 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00019464 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Jeudi 31 Mai 2001, 08:18:59 | |
| Dernière modification le : Jeudi 31 Mai 2001, 08:18:59 | |
