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Direct measurement of the maximum depth phase change of crystal silicon under pulsed laser irradiation
Toulemonde M., Heddache R., Nielsen F., Siffert P.
Journal of Applied Physics 56 (1984) 1878-1880 - http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019467
Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs
Direct measurement of the maximum depth phase change of crystal silicon under pulsed laser irradiation
M. Toulemonde1, R. Heddache1, F. Nielsen1, P. Siffert1
1 :  IReS - Institut de Recherches Subatomiques
http://ireswww.in2p3.fr/
CNRS : UMR7500 – IN2P3 – Université Louis Pasteur - Strasbourg I – Cancéropôle du Grand Est
23 rue du Loess - BP 28 - 67037 Strasbourg Cedex 2
France

Articles dans des revues avec comité de lecture
1984
Journal of Applied Physics (J. Appl. Phys.)
Publisher American Institute of Physics (AIP)
ISSN 0021-8979 
56
1878-1880