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| HAL : in2p3-00019477, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Applied Physics A: Materials Science and Processing A31 (1983) 147-152 |
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| Deep levels subsisting in ion implanted silicon after various transient thermal annealing procedures |
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| A. Mesli1J.C. Muller1P. Siffert1 |
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| (1983) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| Thème(s) | : | Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs |
| in2p3-00019477, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019477 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00019477 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Jeudi 31 Mai 2001, 10:20:48 | |
| Dernière modification le : Jeudi 31 Mai 2001, 10:20:48 | |
