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Applied Physics A: Materials Science and Processing A31 (1983) 147-152
Deep levels subsisting in ion implanted silicon after various transient thermal annealing procedures
A. Mesli1, J.C. Muller1, P. Siffert1
(1983)
1 :  IReS - Institut de Recherches Subatomiques
Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs