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Journal of Crystal Growth 312 (2010) 3583-3587
Epitaxial growth of GdN on silicon substrate using an AlN buffer layer
F. Natali, N. Plank, J. Galipaud, B.J. Ruck, H. J. Trodahl, F. Semond1, S. Sorieul2, L. Hirsch
(01/12/2010)
1 :  CRHEA - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
2 :  CENBG - Centre d'Etudes Nucléaires de Bordeaux Gradignan
Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs