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Journal de Physique Lettres 38, 21 (1977) 435-437
Percolation and superconductivity in ion-implanted aluminium films
F. Meunier1, P. Pfeuty1, A.M. Lamoise2, J. Chaumont2, H. Bernas3, C. Cohen
(1977)

Ion implantation of Si and Ge in Al thin films at 8 K produces alloys exhibiting enhanced superconducting transition temperatures (up to 8.35 K for Al 60Si40) and a metal-non metal transition at a volume concentration of 45 % Si. These results are compared to those obtained by other authors on films prepared by evaporation on cold substrate.
1 :  LPS - Laboratoire de Physique des Solides
2 :  CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
3 :  IPNO - Institut de Physique Nucléaire d'Orsay
Physique/Articles anciens

Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs
aluminium alloys – germanium alloys – ion implantation – silicon alloys – superconducting thin films – superconducting transition temperature – type II superconductors – superconductivity – Al – thin films – 8K – superconducting transition temperatures – metal to nonmetal transition – Al Si alloy – Al Ge alloy – percolation
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