HAL : jpa-00231414, version 1

DOI : 10.1051/jphyslet:019770038021043500

Fiche détaillée

Récupérer au format BibTeX - EndNote - TEI - RefWorks -

Journal de Physique Lettres 38, 21 (1977) 435-437

Percolation and superconductivity in ion-implanted aluminium films

F. Meunier1, P. Pfeuty1, A.M. Lamoise2, J. Chaumont2, H. Bernas3, C. Cohen

(1977)

Ion implantation of Si and Ge in Al thin films at 8 K produces alloys exhibiting enhanced superconducting transition temperatures (up to 8.35 K for Al 60Si40) and a metal-non metal transition at a volume concentration of 45 % Si. These results are compared to those obtained by other authors on films prepared by evaporation on cold substrate.

1 :	LPS - Laboratoire de Physique des Solides
2 :	CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
3 :	IPNO - Institut de Physique Nucléaire d'Orsay

Domaine

:

Physique/Articles anciens Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs

Mots Clés : aluminium alloys – germanium alloys – ion implantation – silicon alloys – superconducting thin films – superconducting transition temperature – type II superconductors – superconductivity – Al – thin films – 8K – superconducting transition temperatures – metal to nonmetal transition – Al Si alloy – Al Ge alloy – percolation

jpa-00231414, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00231414

oai:hal.archives-ouvertes.fr:jpa-00231414

Contributeur : Archives Journal de Physique <>

Soumis le : Samedi 1 Janvier 1977, 08:00:00

Dernière modification le : Mardi 4 Mars 2008, 10:47:35