| Domaine : |
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| Titre : |
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Percolation and superconductivity in ion-implanted aluminium films |
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| Auteur(s) : |
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F. Meunier1, P. Pfeuty1, A.M. Lamoise2, J. Chaumont2, H. Bernas3, C. Cohen |
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| Laboratoire : |
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| Résumé : |
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Ion implantation of Si and Ge in Al thin films at 8 K produces alloys exhibiting enhanced superconducting transition temperatures (up to 8.35 K for Al 60Si40) and a metal-non metal transition at a volume concentration of 45 % Si. These results are compared to those obtained by other authors on films prepared by evaporation on cold substrate. |
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Langue du texte
intégral : |
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Anglais |
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Date de production,
écriture : |
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1977 |
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| Journal : |
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Journal de Physique Lettres |
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| Audience : |
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non spécifiée |
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| Type de publication : |
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Articles dans des revues avec comité de lecture |
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| Date de publication : |
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1977 |
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| Volume : |
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38 |
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| Numéro : |
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21 |
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| Page, identifiant, ... : |
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435-437 |
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| Mots Clés : |
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aluminium alloys – germanium alloys – ion implantation – silicon alloys – superconducting thin films – superconducting transition temperature – type II superconductors – superconductivity – Al – thin films – 8K – superconducting transition temperatures – metal to nonmetal transition – Al Si alloy – Al Ge alloy – percolation |
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