| HAL : jpa-00243262, version 1 |
| DOI : 10.1051/rphysap:0196900402028401 |
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| Revue de Physique Appliquee 4, 2 (1969) 284-285 |
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| Détecteurs de rayonnements nucléaires à semiconducteurs à amplification interne |
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| F. Roubert1P. Siffert1A. Coche1 |
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| (1969) |
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| On décrit les caractéristiques de jonctions P-N à amplification interne obtenues par diffusion de gallium dans du silicium N de résistivité 40 à 50 Ω.cm. Des coefficients d'amplification dépassant 1000 ont pu être obtenus à l'aide de ces dispositifs. |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| Domaine | : | Physique/Articles anciens |
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| particle detectors – semiconductor counters |
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| Liste des fichiers attachés à ce document : | |||||
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| jpa-00243262, version 1 | |
| http://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00243262 | |
| oai:hal.archives-ouvertes.fr:jpa-00243262 | |
| Contributeur : Archives Journal de Physique | |
| Soumis le : Mercredi 1 Janvier 1969, 08:00:00 | |
| Dernière modification le : Mercredi 26 Mars 2008, 15:30:23 | |