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| HAL : jpa-00244768, version 1 |
| DOI : 10.1051/rphysap:01980001503061100 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Revue de Physique Appliquee 15, 3 (1980) 611-629 |
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| Emploi de lasers dans la technologie des photopiles |
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| J.C. Muller1P. Siffert1 |
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| (1980) |
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| Dans cet article on passe en revue les différentes applications des lasers de puissance continus ou impulsionnels dans la technologie des cellules solaires à base de silicium. On considère tout d'abord les différents modèles développés pour calculer les effets de ces flux lumineux intenses sur le silicium ; puis, on analyse les possibilités d'emploi de ces dispositifs pour préparer des films autosupportants ou des couches sur substrat. Finalement, trois méthodes de réalisation de la jonction sont décrites : activation de dopants diffusés, implantation ionique conventionnelle ou simplifiée et dépôt de films en surface. |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| Domaine | : | Physique/Articles anciens |
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| laser beam applications – semiconductor doping – semiconductor thin films – silicon – solar cells – photopile technology – pulsed lasers – high intensity light – self supporting films – deposited layers – rectifying junction – diffused dopants – ion implantation – alloying films – high power density continuous laser – Si solar cells – light absorption – film deposition – dopant activation – elemental semiconductors |
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| Liste des fichiers attachés à ce document : | |||||
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| jpa-00244768, version 1 | |
| http://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244768 | |
| oai:hal.archives-ouvertes.fr:jpa-00244768 | |
| Contributeur : Archives Journal de Physique | |
| Soumis le : Mardi 1 Janvier 1980, 08:00:00 | |
| Dernière modification le : Jeudi 27 Mars 2008, 14:55:04 | |
