HAL : jpa-00245046, version 1

DOI : 10.1051/rphysap:019820017010068700

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Revue de Physique Appliquee 17, 10 (1982) 687-692

Caractéristiques électriques de diodes Au-Si(N) réalisées après irradiation par laser

J.P. Ponpon1, E. Buttung1, P. Siffert1

(1982)

On a préparé des diodes Schottky par dépôt d'une électrode d'or sur du silicium de type N dont la surface avait préalablement été irradiée par une impulsion lumineuse brève issue d'un laser à rubis. L'augmentation de l'énergie des impulsions au-delà d'un seuil situé aux environs de 0,7 à 0,8 J/cm 2 provoque une forte dégradation des caractéristiques électriques des diodes, la réduction de la barrière de potentiel au contact or-silicium et l'accroissement du facteur d'idéalité. Les mesures de capacité montrent que le recuit par laser introduit, dans une zone superficielle du silicium, une forte densité de défauts de type donneur dont on a pu, par décapages successifs de la surface, déduire le profil de distribution pour une irradiation effectuée à l'énergie de 1,45 J/cm2. La guérison de ces défauts par un recuit thermique permet de rétablir en partie les propriétés des contacts or-silicium.

1 :	IReS - Institut de Recherches Subatomiques

Domaine

:

Physique/Articles anciens

Mots Clés : elemental semiconductors – gold – laser beam annealing – Schottky barrier diodes – silicon – electrical characteristics – Au contact – defect distribution profile – semiconductors – Au Si N diodes – laser irradiation annealing – Schottky diodes – Q switched ruby laser – laser energy – I V curves – barrier height – diode quality factor – donor defects – stripping process – capacitance measurements – thermal annealing

jpa-00245046, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245046

oai:hal.archives-ouvertes.fr:jpa-00245046

Contributeur : Archives Journal de Physique <>

Soumis le : Vendredi 1 Janvier 1982, 08:00:00

Dernière modification le : Mercredi 12 Mars 2008, 14:26:42