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Publications de l'IPNL |  |
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Publications de l'IPNL | |
| HAL : in2p3-00734027, version 1 |
| DOI : 10.1016/j.tsf.2010.09.036 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Thin Solids Films 519 (2010) 1325-1333 |
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| Optical and structural properties of silicon oxynitride deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition |
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| J. Dupuis1E. Fourmond1D. Ballutaud2N. Bererd3, 4M. Lemiti1 |
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| (2010) |
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| 1 : | INL - Institut des Nanotechnologies de Lyon - Site de l'INSA |
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| 2 : | GEMAC - Groupe d'Etude de la Matière Condensée |
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| 3 : | IUT A |
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| 4 : | IPNL - Institut de Physique Nucléaire de Lyon |
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| ACE |
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| Thème(s) | : | Chimie/Radiochimie |
| in2p3-00734027, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00734027 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00734027 | |
| Contributeur : Sylvie Florès | |
| Soumis le : Jeudi 20 Septembre 2012, 15:09:31 | |
| Dernière modification le : Vendredi 21 Septembre 2012, 10:47:23 | |
