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Revue de Physique Appliquee 12, 5 (1977) 707-710
Caractérisation électrique de films amorphes de As50Te 50 irradiés par des ions lourds
M. Benmalek1, J.M. Mackowski1, J. Tousset1
(1977)

Des films amorphes de composition As50Te50 sont irradiés avec des ions azote et néon d'énergie comprise entre 0,5 et 2 MeV. L'évolution de leur résistance électrique est suivie pendant et après l'irradiation. La diminution de résistivité est corrélée à l'état initial de la couche ; en particulier, le recuit initial-prérecuit module l'amplitude de cette décroissance. L'accroissement de conductivité est attribué à une augmentation du nombre des défauts structuraux, lesquels provoquent une modification de la densité des états localisés dans la bande interdite.
1 :  IPNL - Institut de Physique Nucléaire de Lyon
Physique/Articles anciens
amorphous semiconductors – arsenic compounds – electrical conductivity of amorphous semiconductors and insulators – ion beam effects – amorphous As sub 50 Te sub 50 films – electrical resistance – density of localized states – heavy ion irradiation – amorphous semiconductor
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