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Superconducting properties of aluminium thin films after ion implantation at liquid helium temperatures
Lamoise A.M., Chaumont J., Meunier F., Bernas H.
Journal de Physique Lettres 36, 11 (1975) 271-273 - http://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00231206
Physique/Articles anciens
Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs
Superconducting properties of aluminium thin films after ion implantation at liquid helium temperatures
A.M. Lamoise1, J. Chaumont1, F. Meunier2, H. Bernas3
1 :  CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
http://www-csnsm.in2p3.fr/
CNRS : UMR8609 – IN2P3 – Université Paris XI - Paris Sud
batiments 104 et 108 - 91405 Orsay Campus
France
2 :  LPS - Laboratoire de Physique des Solides
http://www.lps.u-psud.fr/
CNRS : UMR8502 – Université Paris XI - Paris Sud
Bat. 510 91405 Orsay cedex
France
3 :  IPNO - Institut de Physique Nucléaire d'Orsay
http://ipnweb.in2p3.fr
CNRS : UMR8608 – IN2P3 – Université Paris XI - Paris Sud
IPN - 15, rue Georges Clemenceau - 91406 ORSAY CEDEX
France
Using a recent modification of the Orsay ion implantor, Al, O, He, H and D were implanted into Al thin films at temperatures below 6 K. The critical temperature Tc of the implanted films depends on the implanted ion dose and range distribution as well as on radiation damage effects. The higher limit of Tc ranges from 2.7 K to 4.1 K for Al, O and He implantations. It reaches 6.75 K for H, at an average concentration near AlH2.
Anglais
1975

Journal de Physique Lettres
non spécifiée
Articles dans des revues avec comité de lecture
1975
36
11
271-273

aluminium – ion implantation – superconducting materials – superconducting thin films – superconducting transition point – Al – O – He – H – D – critical temperature – Al thin films – liquid He temperatures – superconducting properties

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