HAL : jpa-00231215, version 1

DOI : 10.1051/jphyslet:019750036012030500

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Journal de Physique Lettres 36, 12 (1975) 305-308

Resistivity annealing properties of aluminium thin films after ion implantation at liquid helium temperatures

A.M. Lamoise1, J. Chaumont1, F. Meunier2, H. Bernas3

(1975)

We present the first resistivity annealing curves of Al after implantation of Al-, H-, and O-ions at liquid helium temperatures. The Al-implantation produces a curve resembling that of neutron-irradiated Al ; low-dose H- implantation results in two strongly enhanced stage I recovery peaks, while high-dose H- implantation annealing results suggest that H-ordering or a phase transformation takes place.

1 :	CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
2 :	LPS - Laboratoire de Physique des Solides
3 :	IPNO - Institut de Physique Nucléaire d'Orsay

Domaine

:

Physique/Articles anciens Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs

Mots Clés : aluminium – annealing – electrical conductivity of solid metals and alloys – hydrogen ions – ion beam effects – ion implantation – metallic thin films – oxygen – recovery – resistivity annealing curves – stage I recovery peaks – Al thin film – Al ion implantation – ordering – H ion implantation – O ion implantation – liquid He temperatures – phase transformations

jpa-00231215, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00231215

oai:hal.archives-ouvertes.fr:jpa-00231215

Contributeur : Archives Journal de Physique <>

Soumis le : Mercredi 1 Janvier 1975, 08:00:00

Dernière modification le : Mardi 4 Mars 2008, 10:42:47