Hydrogen incorporation in dual-mode PECVD amorphous silicon oxide thin films - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Surface and Coatings Technology Année : 1996

Hydrogen incorporation in dual-mode PECVD amorphous silicon oxide thin films

R. Etemadi
  • Fonction : Auteur
C. Godet
CV
J. Perrin
  • Fonction : Auteur
J.E. Bouree
CV
B. Drevillon
  • Fonction : Auteur
C. Clerc
  • Fonction : Auteur
Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00000511

Soumis le : lundi 22 février 1999-11:04:00

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00000511 , version 1 (22-02-1999)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00000511 , version 1

Citer

R. Etemadi, C. Godet, J. Perrin, J.E. Bouree, B. Drevillon, et al.. Hydrogen incorporation in dual-mode PECVD amorphous silicon oxide thin films. Surface and Coatings Technology, 1996, 80, pp.8-12. ⟨in2p3-00000511⟩

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