Ion-dose-dependent microstructure in amorphous Ge - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2000

Ion-dose-dependent microstructure in amorphous Ge

M.C. Ridgway
  • Fonction : Auteur
C.J. Glover
  • Fonction : Auteur
K.M. Yu
  • Fonction : Auteur
G.J. Foran
  • Fonction : Auteur
C. Clerc
  • Fonction : Auteur
Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
J.L. Hansen
  • Fonction : Auteur
A.N. Larsen
  • Fonction : Auteur

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00005565

Soumis le : lundi 10 juillet 2000-16:22:58

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00005565 , version 1 (10-07-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00005565 , version 1

Citer

M.C. Ridgway, C.J. Glover, K.M. Yu, G.J. Foran, C. Clerc, et al.. Ion-dose-dependent microstructure in amorphous Ge. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2000, 61, pp.12586-12589. ⟨in2p3-00005565⟩

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