Caracterisation de la resistance aux radiations du silicium monocristallin de type n de haute purete et haute resistivite application au developpement de detecteurs a pixels pour l'experience ATLAS aupres du collisionneur LHC - Archive ouverte HAL Access content directly
Theses Year : 1995

Caracterisation de la resistance aux radiations du silicium monocristallin de type n de haute purete et haute resistivite application au developpement de detecteurs a pixels pour l'experience ATLAS aupres du collisionneur LHC

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Dates and versions

in2p3-00009872 , version 1 (06-03-2001)

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  • HAL Id : in2p3-00009872 , version 1

Cite

C. Arrighi. Caracterisation de la resistance aux radiations du silicium monocristallin de type n de haute purete et haute resistivite application au developpement de detecteurs a pixels pour l'experience ATLAS aupres du collisionneur LHC. Instrumentation and Detectors [physics.ins-det]. Université de la Méditerranée - Aix-Marseille II, 1995. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨in2p3-00009872⟩
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