Channeling of fast Pb$^{56+}$ ions in a thin silicon crystal correlation between secondary electron emission energy loss and charge exchange - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2002

Channeling of fast Pb$^{56+}$ ions in a thin silicon crystal correlation between secondary electron emission energy loss and charge exchange

M. Chevallier
D. Dauvergne
L. Adoui
  • Fonction : Auteur
A. Cassimi
H. Rothard
M. Toulemonde
C. Cohen
  • Fonction : Auteur
A. L'Hoir
  • Fonction : Auteur
Dominique Vernhet
C. Demonchy
  • Fonction : Auteur
Lydie Giot
W. Mittig
  • Fonction : Auteur
S. Pita
  • Fonction : Auteur
P. Roussel-Chomaz
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 903877
A. Billebaud
  • Fonction : Auteur

Résumé

pas de résumé
Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00011996 , version 1 (29-10-2002)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00011996 , version 1

Citer

C. Ray, F. Barrué, M. Chevallier, D. Dauvergne, R. Kirsch, et al.. Channeling of fast Pb$^{56+}$ ions in a thin silicon crystal correlation between secondary electron emission energy loss and charge exchange. Conference Internationale Swift Heavy Ions in Matter SHIM 2002, May 2002, Taormina, Italy. 2002. ⟨in2p3-00011996⟩
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