Electrically active defects in detector-grade CdTe:Cl and CdZnTe materials grown by THM and HpBm - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 1996

Electrically active defects in detector-grade CdTe:Cl and CdZnTe materials grown by THM and HpBm

Yvette Heyd  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00015150

Soumis le : vendredi 24 mars 2000-16:34:02

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00015150 , version 1 (24-03-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00015150 , version 1

Citer

L. Chibani, M. Hage-Ali, P. Siffert. Electrically active defects in detector-grade CdTe:Cl and CdZnTe materials grown by THM and HpBm. Journal of Crystal Growth, 1996, 161, pp.153-158. ⟨in2p3-00015150⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

IN2P3 CNRS CGE SITE-ALSACE
2 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More