Donor-acceptor charge transfers in bulk semi-insulating GaAs as revealed by photo-epr - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 1991

Donor-acceptor charge transfers in bulk semi-insulating GaAs as revealed by photo-epr

T. Benchiguer
  • Fonction : Auteur
E. Christophel
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
A. Goltzene
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
B. Mari
B. Meyer
  • Fonction : Auteur
C. Schwab
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00015890

Soumis le : mardi 30 mai 2000-15:32:55

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00015890 , version 1 (30-05-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00015890 , version 1

Citer

T. Benchiguer, E. Christophel, A. Goltzene, B. Mari, B. Meyer, et al.. Donor-acceptor charge transfers in bulk semi-insulating GaAs as revealed by photo-epr. Applied Surface Science, 1991, 50, pp.277-280. ⟨in2p3-00015890⟩

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