Charge transfer as an alternative to metastability of defects in semi-insulating GaAs - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Japanese Journal of Applied Physics Année : 1990

Charge transfer as an alternative to metastability of defects in semi-insulating GaAs

T. Benchiguer
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
E. Christophel
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
A. Goltzene
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
B. Mari
B. Meyer
  • Fonction : Auteur
C. Schwab
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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Soumis le : mercredi 7 juin 2000-08:28:06

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00016042 , version 1 (07-06-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00016042 , version 1

Citer

T. Benchiguer, E. Christophel, A. Goltzene, B. Mari, B. Meyer, et al.. Charge transfer as an alternative to metastability of defects in semi-insulating GaAs. Japanese Journal of Applied Physics, 1990, 29, pp.L1569. ⟨in2p3-00016042⟩

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