Excimer laser induced oxidation of ion-implanted Si - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 1988

Excimer laser induced oxidation of ion-implanted Si

E. Fogarassy
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
C.W. White
  • Fonction : Auteur
A. Slaoui
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
C. Fuchs
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
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Institut de Recherches Subatomiques
S.J. Pennycook
  • Fonction : Auteur

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00017473

Soumis le : mardi 26 septembre 2000-16:24:59

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00017473 , version 1 (26-09-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00017473 , version 1

Citer

E. Fogarassy, C.W. White, A. Slaoui, C. Fuchs, P. Siffert, et al.. Excimer laser induced oxidation of ion-implanted Si. Applied Physics Letters, 1988, 53, pp.1720. ⟨in2p3-00017473⟩

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