Optimisation des traitements de GaAs et GaAs/Si par recuit thermique rapide a base de lampes halogenes - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Access content directly
Theses Year : 1989

Optimisation des traitements de GaAs et GaAs/Si par recuit thermique rapide a base de lampes halogenes

H. Blanck
  • Function : Author
Institut de Recherches Subatomiques

Domains

Instrumentation and Detectors [physics.ins-det]

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019115

Submitted on : Friday, February 23, 2001-2:26:57 PM

Last modification on : Friday, June 2, 2023-3:36:26 PM

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Dates and versions

in2p3-00019115 , version 1 (23-02-2001)

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00019115 , version 1

Cite

H. Blanck. Optimisation des traitements de GaAs et GaAs/Si par recuit thermique rapide a base de lampes halogenes. Instrumentation and Detectors [physics.ins-det]. Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 1989. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨in2p3-00019115⟩

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