Analyse du bruit des transistors a effet de champs en technologie complementaire C-MOS et application a la realisation d'un amplificateur integre sensible au courant - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Access content directly
Theses Year : 1989

Analyse du bruit des transistors a effet de champs en technologie complementaire C-MOS et application a la realisation d'un amplificateur integre sensible au courant

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Dates and versions

in2p3-00019120 , version 1 (23-02-2001)

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00019120 , version 1

Cite

E. Beuville. Analyse du bruit des transistors a effet de champs en technologie complementaire C-MOS et application a la realisation d'un amplificateur integre sensible au courant. Instrumentation and Detectors [physics.ins-det]. Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 1989. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨in2p3-00019120⟩
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