Etude de l'implantation ionique a haute energie de bore et d'oxygene dans le silicium - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Access content directly
Theses Year : 1991

Etude de l'implantation ionique a haute energie de bore et d'oxygene dans le silicium

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Dates and versions

in2p3-00019134 , version 1 (26-02-2001)

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00019134 , version 1

Cite

P. Thevenin. Etude de l'implantation ionique a haute energie de bore et d'oxygene dans le silicium. Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 1991. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨in2p3-00019134⟩
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