Etude des proprietes electroniques des photopiles silicium: guerison et passivation des centres de recombinaisons - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Access content directly
Theses Year : 1992

Etude des proprietes electroniques des photopiles silicium: guerison et passivation des centres de recombinaisons

E. Hussain Younis
  • Function : Author
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019142

Submitted on : Monday, February 26, 2001-7:55:18 AM

Last modification on : Friday, June 2, 2023-3:36:26 PM

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Dates and versions

in2p3-00019142 , version 1 (26-02-2001)

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00019142 , version 1

Cite

E. Hussain Younis. Etude des proprietes electroniques des photopiles silicium: guerison et passivation des centres de recombinaisons. Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 1992. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨in2p3-00019142⟩

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