Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium: effet Getter - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Access content directly
Theses Year : 1990

Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium: effet Getter

B. Hartiti
  • Function : Author
Institut de Recherches Subatomiques

Yvette Heyd  : Connect in order to contact the contributor

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019164

Submitted on : Monday, February 26, 2001-1:36:12 PM

Last modification on : Friday, June 2, 2023-3:36:26 PM

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Dates and versions

in2p3-00019164 , version 1 (26-02-2001)

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00019164 , version 1

Cite

B. Hartiti. Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium: effet Getter. Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 1990. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨in2p3-00019164⟩

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