Hard photon yields from (70-240) GeV electrons incident near axial directions on Si, Ge and W single crystals with a large thickness variation - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physics Letters B Année : 1990

Hard photon yields from (70-240) GeV electrons incident near axial directions on Si, Ge and W single crystals with a large thickness variation

R. Medenwaldt
  • Fonction : Auteur
S.P. Mooler
  • Fonction : Auteur
S. Tang-Petersen
  • Fonction : Auteur
E. Uggerhoj
  • Fonction : Auteur
K. Elsener
  • Fonction : Auteur
M. Hage-Ali
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
J.P. Stoquert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Sona
  • Fonction : Auteur
K. Maier
  • Fonction : Auteur

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Soumis le : mercredi 30 mai 2001-11:16:09

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00019448 , version 1 (30-05-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019448 , version 1

Citer

R. Medenwaldt, S.P. Mooler, S. Tang-Petersen, E. Uggerhoj, K. Elsener, et al.. Hard photon yields from (70-240) GeV electrons incident near axial directions on Si, Ge and W single crystals with a large thickness variation. Physics Letters B, 1990, 242, pp.517-522. ⟨in2p3-00019448⟩

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