Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 1982
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019482
Soumis le : jeudi 31 mai 2001-12:44:03
Dernière modification le : mardi 7 novembre 2023-11:28:04
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00019482 , version 1
Citer
E. Fogarassy, R. Stuck, M. Toulemonde, J.C. Bruyere, P. Siffert. Pulsed laser annealing of RF sputtered amorphous Si-H films doped with arsenic. Journal of Applied Physics, 1982, 53, pp.3261-3266. ⟨in2p3-00019482⟩
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