Amorphization of silicon via electronic processes induced by fullerenes irradiations - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2000

Amorphization of silicon via electronic processes induced by fullerenes irradiations

B. Canut
  • Fonction : Auteur
N. Bonardi
  • Fonction : Auteur
S.M.M. Ramos
  • Fonction : Auteur
S. Della-Negra
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique Nucléaire d'Orsay

Domaines

Physique Nucléaire Expérimentale [nucl-ex]

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00022023

Soumis le : mercredi 7 juillet 2004-11:16:52

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00022023 , version 1 (07-07-2004)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00022023 , version 1

Citer

B. Canut, N. Bonardi, S.M.M. Ramos, S. Della-Negra. Amorphization of silicon via electronic processes induced by fullerenes irradiations. European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems 5 RADECS 99, Sep 1999, Fontevraud, France. pp.50-52. ⟨in2p3-00022023⟩

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