Electrical properties of amorphous Ni-B films prepared by ion implantation and sputtering - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Non-Crystalline Solids Année : 1986

Electrical properties of amorphous Ni-B films prepared by ion implantation and sputtering

A. Benyagoub
L. Thome
  • Fonction : Auteur
Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
A. Audouard
  • Fonction : Auteur
A. Chamberod
  • Fonction : Auteur
K. Krolas
  • Fonction : Auteur
P. Wodniecki
  • Fonction : Auteur

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00013230

Soumis le : lundi 17 mai 1999-10:11:33

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00013230 , version 1 (17-05-1999)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00013230 , version 1

Citer

A. Benyagoub, L. Thome, A. Audouard, A. Chamberod, K. Krolas, et al.. Electrical properties of amorphous Ni-B films prepared by ion implantation and sputtering. Journal of Non-Crystalline Solids, 1986, 87, pp.116-122. ⟨in2p3-00013230⟩

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