Dynamics of lattice damage accumulation for MeV ions in silicon - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Année : 1992

Dynamics of lattice damage accumulation for MeV ions in silicon

A. Golanski
  • Fonction : Auteur
A. Grob
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
J.J. Grob
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
O.W. Holland
  • Fonction : Auteur
S.J. Pennycook
  • Fonction : Auteur
C.W. White
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique Nucléaire Expérimentale [nucl-ex]

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00015898

Soumis le : mardi 30 mai 2000-16:36:51

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00015898 , version 1 (30-05-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00015898 , version 1

Citer

A. Golanski, A. Grob, J.J. Grob, O.W. Holland, S.J. Pennycook, et al.. Dynamics of lattice damage accumulation for MeV ions in silicon. Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-Mrs) Symposium C on High Energy Ion Implantation, May 1991, Strasbourg, France. pp.365-371. ⟨in2p3-00015898⟩

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