SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Operated At Liquid Helium Temperature - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Operated At Liquid Helium Temperature

D. Prêle
  • Fonction : Auteur
G. Sou
  • Fonction : Auteur
G. Klisnick
M. Redon
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00196885 , version 1 (13-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00196885 , version 1

Citer

D. Prêle, G. Sou, G. Klisnick, M. Redon, E. Bréelle. SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Operated At Liquid Helium Temperature. Seventh International Workshop on Low Temperature Electronics - WOLTE-7, Jun 2006, Noordwijk, Netherlands. ⟨in2p3-00196885⟩
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