Article Dans Une Revue
Journal of Physics D: Applied Physics
Année : 1990
Jocelyne Lorgeril : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.in2p3.fr/in2p3-00001081
Soumis le : lundi 29 mars 1999-16:20:35
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00001081 , version 1
Citer
P. Zheng, M.O. Ruault, O. Kaitasov, J. Crestou, B. Descouts, et al.. In situ defect studies on Si$^+$ implanted InP. Journal of Physics D: Applied Physics, 1990, 23, pp.877-883. ⟨in2p3-00001081⟩
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