Subgap optical absorption and recombination center efficiency in bulk GaAs irradiated by light or heavy ions - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2000

Subgap optical absorption and recombination center efficiency in bulk GaAs irradiated by light or heavy ions

J. Mangeney
J. Lopez
  • Fonction : Auteur
N. Stelmakh
  • Fonction : Auteur
J.M. Lourtioz
  • Fonction : Auteur
J.L. Oudar
  • Fonction : Auteur
H. Bernas
  • Fonction : Auteur
Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00003944

Soumis le : lundi 7 février 2000-11:23:28

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00003944 , version 1 (07-02-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00003944 , version 1

Citer

J. Mangeney, J. Lopez, N. Stelmakh, J.M. Lourtioz, J.L. Oudar, et al.. Subgap optical absorption and recombination center efficiency in bulk GaAs irradiated by light or heavy ions. Applied Physics Letters, 2000, 76, pp.40-42. ⟨in2p3-00003944⟩

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