Approche theorique de la photoemission de champ a partir de semiconducteurs degeneres. - Cas des pointes de silicium faiblement dope P - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Thèse Année : 1996

Approche theorique de la photoemission de champ a partir de semiconducteurs degeneres. - Cas des pointes de silicium faiblement dope P

Domaines

Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]

Jeanine Pellet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00010843

Soumis le : lundi 27 mars 2000-16:57:12

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00010843 , version 1 (27-03-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00010843 , version 1

Citer

A. Chbihi El Wahoudi. Approche theorique de la photoemission de champ a partir de semiconducteurs degeneres. - Cas des pointes de silicium faiblement dope P. Instrumentation and Detectors [physics.ins-det]. Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II, 1996. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨in2p3-00010843⟩

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