Nuclear orientation of $^{125}$i in n-si and p-si using defect induced electric field gradients - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Hyperfine Interactions Année : 1993

Nuclear orientation of $^{125}$i in n-si and p-si using defect induced electric field gradients

H. Bemelmans
  • Fonction : Auteur
I. Berkes
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique Nucléaire de Lyon
G. Langouche
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique Nucléaire Expérimentale [nucl-ex]

Sylvie Flores  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00013041

Soumis le : mardi 2 mars 1999-11:13:10

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00013041 , version 1 (02-03-1999)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00013041 , version 1

Citer

H. Bemelmans, I. Berkes, G. Langouche. Nuclear orientation of $^{125}$i in n-si and p-si using defect induced electric field gradients. Hyperfine Interactions, 1993, 79, pp.649-653. ⟨in2p3-00013041⟩

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