Vacancy related defect profiles in MeV cluster-ion irradiated silicon - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Année : 1995

Vacancy related defect profiles in MeV cluster-ion irradiated silicon

A. Hallen
  • Fonction : Auteur
P. Haakansson
  • Fonction : Auteur
J. Olsson
  • Fonction : Auteur
A. Brunelle
Institut de Physique Nucléaire d'Orsay
S. Della-Negra
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique Nucléaire d'Orsay
Y. Le Beyec
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique Nucléaire d'Orsay

Domaines

Agrégats Moléculaires et Atomiques [physics.atm-clus]

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00014513

Soumis le : mardi 13 avril 1999-11:19:33

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00014513 , version 1 (13-04-1999)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00014513 , version 1

Citer

A. Hallen, P. Haakansson, J. Olsson, A. Brunelle, S. Della-Negra, et al.. Vacancy related defect profiles in MeV cluster-ion irradiated silicon. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 1995, 106, pp.233-236. ⟨in2p3-00014513⟩

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