Latent tracks formation in silicon single crystals irradiated with fullerenes in the electronic regime - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Année : 1998

Latent tracks formation in silicon single crystals irradiated with fullerenes in the electronic regime

B. Canut
  • Fonction : Auteur
N. Bonardi
  • Fonction : Auteur
S.M.M. Ramos
  • Fonction : Auteur
S. Della-Negra
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique Nucléaire d'Orsay

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Soumis le : lundi 10 janvier 2000-17:14:33

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

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Dates et versions

in2p3-00014860 , version 1 (10-01-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00014860 , version 1

Citer

B. Canut, N. Bonardi, S.M.M. Ramos, S. Della-Negra. Latent tracks formation in silicon single crystals irradiated with fullerenes in the electronic regime. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 1998, 146, pp.296-301. ⟨in2p3-00014860⟩

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