One-step Growth of Polycrystalline Silicon thin Films at Low-temperature by ARF Excimer Laser-induced Photo-CVD - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 1992

One-step Growth of Polycrystalline Silicon thin Films at Low-temperature by ARF Excimer Laser-induced Photo-CVD

Domaines

Physique Nucléaire Expérimentale [nucl-ex]

Yvette Heyd  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : lundi 5 juin 2000-09:49:17

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00015969 , version 1 (05-06-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00015969 , version 1

Citer

M. Elliq, E. Fogarassy, C. Fuchs, J.P. Stoquert, S. de Unamuno, et al.. One-step Growth of Polycrystalline Silicon thin Films at Low-temperature by ARF Excimer Laser-induced Photo-CVD. Applied Surface Science, 1992, 54, pp.35-40. ⟨in2p3-00015969⟩

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