Reacteur VUV a decharge interne pour le depot en couches minces de silicium amorphe d'oxyde et de nitrure de silicium - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Annales de Physique Année : 1992

Reacteur VUV a decharge interne pour le depot en couches minces de silicium amorphe d'oxyde et de nitrure de silicium

C. Fuchs
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
R. Henck
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
E. Fogarassy
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00016014

Soumis le : mardi 6 juin 2000-14:38:25

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00016014 , version 1 (06-06-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00016014 , version 1

Citer

C. Fuchs, R. Henck, E. Fogarassy. Reacteur VUV a decharge interne pour le depot en couches minces de silicium amorphe d'oxyde et de nitrure de silicium. Annales de Physique, 1992, 17C1, pp.59-60. ⟨in2p3-00016014⟩

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