EPR evidence for As interstitial-related defects in semi-insulating GaAs - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 1990

EPR evidence for As interstitial-related defects in semi-insulating GaAs

E. Christophel
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
T. Benchiguer
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
A. Goltzene
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
C. Schwab
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
Guangyou Wang
  • Fonction : Auteur
Ju Wu
  • Fonction : Auteur

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00016047

Soumis le : mercredi 7 juin 2000-09:04:24

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

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Dates et versions

in2p3-00016047 , version 1 (07-06-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00016047 , version 1

Citer

E. Christophel, T. Benchiguer, A. Goltzene, C. Schwab, Guangyou Wang, et al.. EPR evidence for As interstitial-related defects in semi-insulating GaAs. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 1990, 42, pp.3461. ⟨in2p3-00016047⟩

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