Si implantation of GaAs at low and medium doses: Raman assessment of dopant activation - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering Année : 1990

Si implantation of GaAs at low and medium doses: Raman assessment of dopant activation

S. Zekeng
  • Fonction : Auteur
B. Prevot
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
C. Schwab
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00016156

Soumis le : jeudi 29 juin 2000-08:04:16

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00016156 , version 1 (29-06-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00016156 , version 1

Citer

S. Zekeng, B. Prevot, C. Schwab. Si implantation of GaAs at low and medium doses: Raman assessment of dopant activation. Materials Science and Engineering, 1990, B5, pp.269. ⟨in2p3-00016156⟩

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