Improvement of plasma deposited a-Ge: H thin films by hydrogen dilution of germane - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid State Communications Année : 1990

Improvement of plasma deposited a-Ge: H thin films by hydrogen dilution of germane

C. Godet
CV
I. Elzawawi
  • Fonction : Auteur
M.L. Theye
  • Fonction : Auteur
Mélanie Gauthier
  • Fonction : Auteur
J.P. Stoquert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

Yvette Heyd  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00016177

Soumis le : vendredi 30 juin 2000-16:10:24

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00016177 , version 1 (30-06-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00016177 , version 1

Citer

C. Godet, I. Elzawawi, M.L. Theye, Mélanie Gauthier, J.P. Stoquert. Improvement of plasma deposited a-Ge: H thin films by hydrogen dilution of germane. Solid State Communications, 1990, 74, pp.721. ⟨in2p3-00016177⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

IN2P3 CNRS CGE SITE-ALSACE
29 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More