Dose effects during solid phase epitaxial regrowth of boron implanted, germanium amorphized silicon induced by rapid thermal annealing - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 1988

Dose effects during solid phase epitaxial regrowth of boron implanted, germanium amorphized silicon induced by rapid thermal annealing

W.O. Adekoya
  • Fonction : Auteur
M. Hage-Ali
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
J.C. Muller
  • Fonction : Auteur
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00017456

Soumis le : mardi 26 septembre 2000-15:47:28

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00017456 , version 1 (26-09-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00017456 , version 1

Citer

W.O. Adekoya, M. Hage-Ali, J.C. Muller, P. Siffert. Dose effects during solid phase epitaxial regrowth of boron implanted, germanium amorphized silicon induced by rapid thermal annealing. Applied Physics Letters, 1988, 53, pp.511. ⟨in2p3-00017456⟩

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