Electrical Characteristics of Laser Annealed Silicon - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied physics. A, Materials science & processing Année : 1987

Electrical Characteristics of Laser Annealed Silicon

J. Martinez
  • Fonction : Auteur
E. Fogarassy
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
A. Mesli
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00017599

Soumis le : jeudi 28 septembre 2000-10:01:58

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00017599 , version 1 (28-09-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00017599 , version 1

Citer

J. Martinez, E. Fogarassy, A. Mesli, P. Siffert. Electrical Characteristics of Laser Annealed Silicon. Applied physics. A, Materials science & processing, 1987, 42, pp.273. ⟨in2p3-00017599⟩

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