Thermally stimulated current measurements on silicon junctions produced by implantation of low energy boron ions - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 1974

Thermally stimulated current measurements on silicon junctions produced by implantation of low energy boron ions

J.C. Muller
  • Fonction : Auteur
R. Stuck
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
R. Berger
  • Fonction : Auteur
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00018451

Soumis le : jeudi 21 décembre 2000-08:48:05

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00018451 , version 1 (21-12-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00018451 , version 1

Citer

J.C. Muller, R. Stuck, R. Berger, P. Siffert. Thermally stimulated current measurements on silicon junctions produced by implantation of low energy boron ions. Solid-State Electronics, 1974, 17, pp.1293-1297. ⟨in2p3-00018451⟩

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