Effects of conventional and rapid thermal annealing on minority carrier diffusion length in float zone and Czochralsi silicon crystals - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Journal of Alloys and Compounds Année : 1992

Effects of conventional and rapid thermal annealing on minority carrier diffusion length in float zone and Czochralsi silicon crystals

A. Barhdadi
  • Fonction : Auteur
H. Amzil
  • Fonction : Auteur
N. M'Gafad
  • Fonction : Auteur
T. Biaz
  • Fonction : Auteur
W. Eichhammer
  • Fonction : Auteur
J.C. Muller
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019442

Soumis le : mercredi 30 mai 2001-10:03:43

Dernière modification le : mardi 30 avril 2024-11:42:16

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00019442 , version 1 (30-05-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019442 , version 1

Citer

A. Barhdadi, H. Amzil, N. M'Gafad, T. Biaz, W. Eichhammer, et al.. Effects of conventional and rapid thermal annealing on minority carrier diffusion length in float zone and Czochralsi silicon crystals. Moroccan Solid State Chemistry Meeting, Oct 1991, Casablanca, Morocco. pp.221-224. ⟨in2p3-00019442⟩

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