Thermal annealing effects on grain boundary recombination activity in silicon - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied physics. A, Materials science & processing Année : 1989

Thermal annealing effects on grain boundary recombination activity in silicon

A. Barhdadi
  • Fonction : Auteur
H. Amzil
  • Fonction : Auteur
J.C. Muller
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019451

Soumis le : mercredi 30 mai 2001-13:36:28

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00019451 , version 1 (30-05-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019451 , version 1

Citer

A. Barhdadi, H. Amzil, J.C. Muller, P. Siffert. Thermal annealing effects on grain boundary recombination activity in silicon. Applied physics. A, Materials science & processing, 1989, 49, pp.233-237. ⟨in2p3-00019451⟩

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