Direct measurement of the maximum depth phase change of crystal silicon under pulsed laser irradiation - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 1984

Direct measurement of the maximum depth phase change of crystal silicon under pulsed laser irradiation

M. Toulemonde
Institut de Recherches Subatomiques
R. Heddache
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
F. Nielsen
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019467

Soumis le : jeudi 31 mai 2001-08:44:33

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00019467 , version 1 (31-05-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019467 , version 1

Citer

M. Toulemonde, R. Heddache, F. Nielsen, P. Siffert. Direct measurement of the maximum depth phase change of crystal silicon under pulsed laser irradiation. Journal of Applied Physics, 1984, 56, pp.1878-1880. ⟨in2p3-00019467⟩

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